Actualmente, las tarjetas gráficas destinadas al sector doméstico utilizan memorias GDDR6 y GDDR6X por su buenas prestaciones y precios. No es el único tipo de memoria que existe para tarjetas gráficas, como ya vimos en las AMD Radeon Vega. SK Hynix ha anunciado el desarrollo de los primeros módulos HBM3E para tarjetas gráficas.
Posiblemente no conozcas las memorias HBM, ya que no se utilizan en gráficas gaming. Estas memorias High Brandwitch Memory (HBM) se caracterizan por ofrecer un ancho de banda muy superior al que ofrecen las memorias GDRR «típicas».
Este aumento de ancho de banda permite un mayor rendimiento en determinados ámbitos. Pero, tienen bastantes inconvenientes. Sin duda, el más importante, que son muchísimo más caras (hasta 20 veces que las GDDR). Además, se instalan junto a la GPU, en el mismo socket y eso genera irregularidades en la superficie y puede generar mala transferencia de calor.
Lista la nueva generación de memorias de banda ancha
SK Hynix acaba de anunciar que ya tiene listos sus propios módulos HBM3E y ya está mandando muestras a diferentes clientes. Estos nuevos chips cuentan con un gran aumento de velocidad de transferencia, llegando a los 9 GT/s. Dichas memorias son un 40% más rápidas que las memorias HBM3.
Estas nuevas memorias empezarán a producirse en masa a partir de la primera mitad del próximo año. Destacar que SK Hynix no ha revelado la capacidad de estos nuevos chips de memoria. Tampoco hay datos exactos de cuando se pondrán a disposición de los ensambladores.
TrendForce, una firma de investigación de mercado de memorias, si ha dado cifras. El medio dice que SK Hynix fabricara chips HBM3E de 24 GB durante el primer trimestre de 2024. Para el primer trimestre de 2025, estaría previsto producir memorias de 36 GB.
Coinciden los datos de TrendForce con ciertos movimientos del mercado. Se espera que NVIDIA empiece a distribuir las soluciones Grace Hooper GH200 para IA y tareas de computación avanzadas en el segundo trimestre de 2024. Las soluciones GH200 podrían tener 141 GB de memoria HBM3E de SK Hynix, aunque esto no está confirmado.
Debemos saber además que las memorias HBM3E de SK Hynix no son las mejores del mercado. Estas memorias ofrecen un ancho de banda de 9 GT/s, algo más lentas que las memorias Micron que operan a 9.2 GT/s. Las memorias Micron ofrecen un ancho de banda de 1.2 TB/s por pila y las SK Hynix se quedan en los 1.15 GT/s.
Desarrolladas para la IA
Lo curioso es que SK Hynix no ha revelado las capacidades de estas memorias. Si que han destacado que utilizan la tecnología Advanced Mass Reflow Moulded Underfill (MR-RUF). Permite reducir el espacio entre los dispositivos dentro de una pila HBM y mejora la disipación de calor de un 10%. Además, se consigue que una configuración HBM2 de 12 Hi tenga la misma altura Z que un módulo HBM de 8 Hi.
Algo extraño del estándar HBM3E es que, de omento, no ha sido validado por parte de la JEDEC. Debemos recordar que los chips de memoria siempre están certificados y validados por este regulador.
Podría deberse esta celeridad, las necesidades del mercado. Las aplicaciones IA y HPC están apurando la producción en masa para satisfacer la demanda. Podría ser la primera vez que la producción en masa empieza antes de estar certificado este diseño.
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