Cada vez es más común ver un avance que puede revolucionar un campo de forma diaria, y es que las investigaciones que se están llevando a cabo para tratar de conseguir crear transistores que sean capaces de ofrecer tamaños muy inferiores a los que hay actualmente. Esto implica que la tecnología está cada vez más cerca de superar la barrera de los 3 nm que hay actualmente a la hora de crear semiconductores, siendo uno de los factores clave esta nueva forma de crear transistores de menos de 1 nm.
Muchos países están llevando a cabo una serie de investigaciones para tratar de ser los primeros en ofrecer tecnologías de semiconductores que permitan a los grandes fabricantes de chips reducir todavía más su tamaño para aumentar los aspectos físicos de los mismos y así conseguir un rendimiento mucho mayor. Entre estos países se encuentran Estados Unidos, Taiwán y Corea del Sur, siendo este último el primero en presentar los avances que permitirían continuar con el desarrollo de chips inferiores a los 3 nm gracias a la reducción del tamaño de los transistores.
Conseguirlo ha sido todo un reto
Las investigaciones tecnológicas no son una tarea fácil, y es que cada vez es más complicado crear o mejorar todo lo que tenemos, aunque una de las especializaciones de la humanidad al final está en conseguir progresar incluso cuando parece que no se puede ir más allá. En este caso, uno de los grandes problemas que podemos encontrar en el sector o la industria relacionada con la tecnología de la información son los límites físicos que tiene el desarrollo de componentes que cada vez sean mucho más potentes, ya sea por términos de temperatura o de tamaño.
Una de las metas que más están buscando actualmente las compañías fabricantes de chips es la forma de crear semiconductores que tengan nodos capaces de ofrecer tamaños de 1 nm e incluso inferiores, y es que todas las grandes compañías quieren ser las primeras en lograr este hito. Ahora, desde el Instituto de Ciencias Básicas de Corea del Sur (IBS), han logrado dar con la forma de fabricar transistores utilizando un metal que tiene menos de 1 nm de ancho, dando un paso extremadamente grande para lograr producir los semiconductores de menor tamaño hasta la fecha.
Esto situaría a Corea del Sur en la delantera de la carrera que hay actualmente por lograr los procesos de menor tamaño, y es que como ya sabemos, TSMC anunció que lograrían el proceso de 1 nm en 2030, mientras que Intel dijo que llegarían a el en 2028 y que Samsung afirmó que tendrían listo para 2026, y parece ser, que es probable que la empresa coreana tenga razón.
Los semiconductores de 1 nm cada vez están más cerca
Como bien hemos indicado, las principales empresas dedicadas al desarrollo de semiconductores indicaron que en un plazo de aquí a seis años llegarían las nuevas tecnologías que permitirían alcanzar los nodos de 1 nm, pero esto no es, ni mucho menos, el límite que puede alcanzar esta tecnología. Y es que cada vez va disminuyendo más y más el tamaño, y según prevé el International Roadmap for Devices and Systems (IRDS), la tecnología de semiconductores llegaría a alcanzar unos 0,5 nm en 2037, con longitudes de puerta de transistor de 12 nm, pero viendo con la rapidez que avanza todo, igual no hace falta esperar tanto.
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